Este dispositivo DRAM DDR4 consume mucha menos energía eléctrica, tiene la capacidad de duplicar la capacidad de transferencia que presentan las actuales memorias DRAM DDR3 y puede, según su fabricante, trabajar a la velocidad más rápida de la industria, con sus 2.400 megabits por segundo.
De acuerdo con lo que detalla la compañía a través de un comunicado, se trata de un chip DRAM DDR4 de 2 gigabits, basado en la tecnología de proceso de clase de 30 nanómetros.
Ji-Bum Kim, director de marketing de Hynix, señaló en un comunicado que “con este producto, Hynix será capaz de proporcionar soluciones de alta calidad a nuestros clientes no sólo de PC y de servidores, sino también en el mercado de los Tablet PC.”
La decisión de iniciar el desarrollo y producción masiva de esta memoria DRAM DDR4 se basa en estudios de mercado que anticipan que este tipo de chips de alto rendimiento representarán más de la mitad del mercado de memorias en 2015, mientras que el porcentaje de las actuales DRAM DDR3 disminuirá a un 49 por ciento en 2014 después de alcanzar un máximo del 71 por ciento durante el año que viene.
Por estas razones, Hynix planea comenzar la producción en masa de esta nueva memoria de alto rendimiento en el transcurso de la segunda mitad de 2012.
No hay comentarios:
Publicar un comentario